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Snapdragon 835

Catégorie Innovation , publié le 17 novembre 2016 à 17h02 par poupon
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LE SNAPDRAGON 835 ET LE QUICK CHARGE 4.0

Le concepteur américain a dévoilé quelques détails concernant le successeur du Snapdragon 820. Baptisée Snapdragon 835, cette puce inaugurera le nouveau système de charge rapide Quick Charge 4 et sera fabriquée dans les usines de Samsung. On devrait la retrouver dans de nombreux smartphones haut de gamme de 2017.

Fabriquée par Samsung, cette puce est gravée en 10 nm avec le procédé FinFET développé par le géant sud-coréen.

Cinq minutes de charge pour 5 heures de batterie supplémentaires.Mais ce n’est pas le plus intéressant, car cette technologie devrait également être en mesure de recharger une batterie de 2 750 mAh à hauteur de 50 % en l’espace d’une quinzaine de minutes seulement. Pour atteindre ce seuil, Qualcomm a développé une nouvelle version de l’algorithme de régulation de la puissance et cette dernière est désormais capable de prendre en compte la température de la batterie dans son calcul afin d’adapter la puissance électrique délivrée en temps réel.

Ce n’est pas le seul atout du Quick Charge 4.0, car ce dernier supporte aussi plusieurs standards et notamment l’USB Power Delivery et l’USB Type-C. Il sera d’ailleurs compatible avec des chargeurs délivrant une puissance de 5 volts, mais également avec les chargeurs montant à 9 ou 12 volts.

Afin d’assurer la sécurité des utilisateurs, Qualcomm a aussi mis au point une certification et les accessoires vendus par les constructeurs et les accessoiristes devront impérativement respecter les normes définies. Il faudra d’ailleurs qu’ils intègrent tous une puce capable de mesurer l’intensité et la tension du courant.

 

Qualcomm annonce aussi un gain de puissance de 27 % et une consommation électrique mieux maîtrisée, avec une réduction de 40 % à la clé. En d’autres termes, grâce à cette puce, les constructeurs pourront proposer des appareils plus fins, plus puissants et plus autonomes.

Toujours selon Qualcomm, le Quick Charge 4.0 serait 20 % plus rapide que la version 3.0 et il serait aussi 30 % plus efficace dans la gestion de la température et de l’intensité du courant électrique. Conséquence directe, les terminaux équipés de cette puce chaufferont un peu moins (5 °C) que les modèles actuels

 

Il faudra attendre le CES pour en savoir un peu plus sur ses caractéristiques !



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